彭博報道指，華為及其晶片生產夥伴為一種技術含量低，但能有效製造先進半導體的方法申請專利，提高華為突破美國圍堵改進晶片生產技術的可能性。

報道指，根據兩家公司向中國知識產權當局提交的文件，專利涉及自對准四重圖形技術(self-aligned quadruple patterning SAQP)，有助減少對高端光刻機的依賴，可能幫助華為與合作夥伴在沒有ASML最先進極紫外(EUV)光刻設備的情況下，生產出高端晶片。總部位於荷蘭的ASML是EUV光刻機唯一生產商，由於出口管制，他們不得向中國出售此類光刻機。

四重圖形技術是一種在矽片上多次蝕刻線路，以提高晶體管密度進而增強性能的技術。星期五公布的的華為專利申請，描述使用這項技術製造更複雜半導體的方法。 

與華為合作的國有晶片製造設備開發商新凱來技術有限公司，在2023年底獲得一項關於SAQP的專利，通過採用深紫外光刻(DUV)晶片製造設備和SAQP技術，來達到5納米製程晶片的某些技術標準，此項技術可避免使用EUV設備同時降低製造成本。

報道引述研究公司TechInsights的副董事長Dan Hutcheson表示，四重圖形技術足以讓中國製造5納米晶片，但從長遠來看中國仍需要借助EUV設備，四重圖形技術可以緩解一部分問題，但不能完全克服沒有EUV情況下的技術障礙。

報道指，台積電等使用EUV機生產先進半導體，可以令產出較高，做到單顆晶片的成本最小化。如果華為及合作夥伴使用替代方法生產半導體，單顆晶片的成本可能會高於行業標準。目前投入商業生產的最先進晶片採用3納米製程，中國目前只能生產7納米晶片，比3納米落後兩代，如果生產工藝能推進到5納米製程，相當於僅落後全球領先者一代。