麻省光子技術（香港）公司計劃在科學園，設立全港首個第三代半導體氮化鎵（GaN）外延工藝全球研發中心，以及在創新園開設首條8寸超高真空量產型氮化鎵（GaN）外延片中試線，預計將在香港投資最少2億港元，創造超過250個微電子相關職位。
  
麻省光子技術行政總裁廖翊韜指，公司致力在港研發高階第三代半導體晶圓技術，製作的晶圓片能廣泛應用於醫療、電動汽車及人工智能等領域，從而節約電力成本，提升能量轉換效率。他期望在3年內實現年產1萬片氮化鎵晶圓產能。
 
廖翊韜指出，公司希望在技術、人才、資本密集的環境發展，而香港能滿足全部條件，因此選擇落戶香港，將在香港招聘博士畢業生，以及從事半導體開發的專業人員。他亦看中香港的國際化，認為香港在中西文化交流方面有不可替代的優勢，有助將香港製造的外延片產品推向全球市場。

科技園公司行政總裁黃克強表示，麻省光子技術決定落戶科學園及創新園，將前沿技術及經驗帶來香港，將成為本港微電子產業及新型工業化發展歷程中的一個重要里程碑。
 
創新科技及工業局局長孫東亦歡迎麻省光子技術落戶香港，指第三代半導體是香港近年重點發展的科技領域，而氮化鎵外延工藝是發展第三代半導體的關鍵技術。他相信，麻省光子技術在港設立研發中心，將加速推動香港新型工業化、微電子生態圈的發展，並助力香港壯大創科人才庫。